Allgemein Informationen
Cu etch 200 UBM ist ein neutrales (schwach alkalisches) Kupferätzmittel und wird eingesetzt für die nasschemische Entfernung von Kupferschichten als Galvanikstart mit Selektivität zu Metallen wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti. Übliche Anwendungsfelder finden sich in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik, z.B. bei der Entfernung der Startschicht nach erfolgter Kupfergalvanik für eine under-bump-Metallisierung (UBM).
Eigenschaften
- Selektivität zu vielen Materialien, insbesondere zu Metallen aus Galvanotechnik
- geringer Dimensionsverlust
- erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden
- kompatibel zu Lackmasken
- Einsatz bei Raumtemperatur
Selektivität
Cu etch 200 UBM ist kompatibel/ätzt selektiv zu folgenden Materialien:
- Lacke: handelsüblicher Novolak als Maskierlack (z.B. AZ® Photoresist)
- Metalle: kein Angriff Cr, Au, Pt, Sn, Al, Ni, Ti, Ta; Ag wird langsam angegriffen, Au langsam bei höheren Temperaturen
- Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
(weitere Angaben auf Anfrage)
Ätzrate
Die Ätzrate für Kupfer beträgt üblicherweise ca 200 bis 250 nm/min. Die Ätzlösung ist dauerstabil und kann je nach Anforderung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens zu verwerfen, wenn die Ätzrate sich um 20% reduziert hat.
Technisches Datenblatt:
Das technische Datenblatt mit weiteren Informationen finden Sie hier:
> Cu Etch 200 UBM (TDS)
> Nasschemisches Ätzen
> Nasschemisches Ätzen Metalle
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