Si + SiO2 Wafer
Dummy Si + SiO2 wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 90 nm SiO2, 1 SEMI flat, not particle-specified
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WWD30380250B1314S092 |
| Quality: | Dummy |
| Material: | Si + wet SiO2 |
| Wafer thickness: | 380 µm |
| Diameter: | 3 inch |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Coating thickness: | 90 |
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