Silicon Wafer
Dummy CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 650 ± 50 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 1000 Ohm cm, not particle-specified, units of 25 wafers in carriers
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSS80650500B1016XNN1 |
| Wafer thickness: | 650 µm |
| Resistivity: | 0,001 - 1000 Ohm cm |
| Diameter: | 8 inch (200 mm) |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 50 µm |
| Quality: | Dummy |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Material: | CZ-Si, Square CZ-Si |
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