Silicon Wafer
Test CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 725 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 100 Ohm cm, Bow/Warp < 40 µm
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSM80725250B1315SNN1 |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness: | 725 µm |
| Diameter: | 8 inch (200 mm) |
| Resistivity: | 1 - 100 Ohm cm |
| Orientation: | (100) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Quality: | Test |
| Material: | CZ-Si |
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