Silicon Wafer
Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 20 µm, 1 - 20 Ohm cm, Laser-marking on polished side, 2.5 - 3.0 mm height: 206M-XXXX (XXXX = consecutive number 0001 - 9999)
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSM40525250B1324XNN1 |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Resistivity: | 1 - 20 Ohm cm |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Quality: | Test |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Material: | CZ-Si |
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