Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 2000 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 20 Ohm cm, Flat: SEMI Standard, units of 25 wafers stacked
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSD42000250B1324SNN1 |
| Dopand: | Boron |
| Resistivity: | 1 - 20 Ohm cm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Material: | CZ-Si |
| Wafer thickness: | 2000 µm |
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