Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WSD30450100B1324SNN1
Coating thickness:	1
Wafer thickness:	450 µm
Resistivity:	1 - 20 Ohm cm
Diameter:	3 inch
Wafer thickness tolerance:	+/- 10 µm
Quality:	Prime
Orientation:	(100)
Dopand:	Boron
Surface:	1-side polished (ssp)
Material:	CZ-Si

Prime CZ-Si wafer 3 inch (76,2 mm +/- 0.3 mm), thickness = 450... mehr

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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch (76,2 mm +/- 0.3 mm), thickness = 450 ± 10 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm, Ra< 1 nm, 1 Flat [mm] 22 ± 1 mm, Edge Rounding 0.25 mmR

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 5 wafers is also available on stock.