Si + Si3N4 Wafer
Prime Si + Si3N4 wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 500 nm PECVD Si3N4 on one side
Staffelpreise:
| Menge: | Stückpreis: |
|---|---|
| bis 4 | 67,50 € * |
| ab 5 | 57,80 € * |
| ab 10 | 53,00 € * |
| ab 25 | 48,00 € * |
| ab 50 | 45,00 € * |
zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten
LAGERBESTAND: 34
IN BÄLDE VERFÜGBAR1: 34 pieces
1 Summe aus Bestand und ggf. in Produktion befindlicher Ware. Lieferzeit auf Anfrage.
Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WNA30381250B1314S501 |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Coating thickness: | 500 |
| Material: | Si + Si3N4 |
| Wafer thickness: | 381 µm |
| Diameter: | 3 inch |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Zuletzt angesehen