Si + SiO2 Wafer
Prime Square Si + dry SiO2 wafer piece (100 x 100 mm), thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 200 nm dry SiO2 (thermally grown on both sides), units of 10 wafers
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | W9TD10010005250200B2 |
| Material: | Si + dry SiO2 |
| Size: | 100 x 100 mm |
| Shape: | rectangular |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Coating thickness: | 200 |
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