Silicon Wafer
Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 10 µm, (111), 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 5 µm, 5000 - 14000 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WFC40300105P5617SNN1 |
| Material: | FZ-Si |
| Wafer thickness: | 300 µm |
| Orientation: | (111) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 10 µm |
| Surface: | 2-side polished (dsp) |
| Dopand: | Phosphor |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 5000 - 14000 Ohm cm |
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