Silicon Wafer

Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 10 µm, (111), 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 5 µm, 5000 - 14000 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WFC40300105P5617SNN1
Material: FZ-Si
Wafer thickness: 300 µm
Orientation: (111)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Surface: 2-side polished (dsp)
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Resistivity: 5000 - 14000 Ohm cm
Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 10 µm, (111),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 300 ± 10 µm, (111), 2-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 5 µm, 5000 - 14000 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]

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