Silicon Wafer

Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 3000 - 100000 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WFA40500150B3618SNN1
Surface: 2-side polished (dsp)
Resistivity: 3000 - 100000 Ohm cm
Material: FZ-Si
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Wafer thickness: 500 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 15 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 15 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 3000 - 100000 Ohm cm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 8 wafers is also available on stock.

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