Silicon Wafer

Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 290 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 2000 - 8000 Ohm cm, 2 flats

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WFA40290100B2686SNN1
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Resistivity: 2000 - 8000 Ohm cm
Wafer thickness: 290 µm
Material: FZ-Si
Surface: 2-side polished (dsp)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Diameter: 4 inch (100 mm)
Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 290 ± 10 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime FZ-Si wafer 4 inch, thickness = 290 ± 10 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 2000 - 8000 Ohm cm, 2 flats

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