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Silicon Wafer

Dummy CZ-Si wafer 32 mm, thickness = 2000 ± 20 µm, (100), unpolished (both sides only grinded, not etched), p-type (Boron), 1 - 20 Ohm cm (doping does not matter)

Silicon Wafer
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IN BÄLDE VERFÜGBAR 1: 50 Stück
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.


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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSZ12000200B1324XNN1
Diameter: 1 inch
Surface: unpolished
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Resistivity: 1 - 20 Ohm cm
Quality: Dummy
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Material: CZ-Si
Wafer thickness: 2000 µm
Dummy CZ-Si wafer 32 mm, thickness = 2000 ± 20 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Dummy CZ-Si wafer 32 mm, thickness = 2000 ± 20 µm, (100), unpolished (both sides only grinded, not etched), p-type (Boron), 1 - 20 Ohm cm (doping does not matter)

Min. order quantity and sales unit = 50 wafers.

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