Silicon Wafer

Dummy CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 420 ± 25 µm, (111), 1-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 1 Ohm cm, units of 125 wafers in cakeboxes, not particle-specified, tiny scratches possible

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSY30420250B1013XNN1
Diameter: 3 inch
Orientation: (111)
Resistivity: 0,001 - 1 Ohm cm
Wafer thickness: 420 µm
Quality: Dummy
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Dummy CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 420 ± 25 µm, (111), 1-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 1 Ohm cm, units of 125 wafers in cakeboxes, not particle-specified, tiny scratches possible

Min. order quantity and sales unit = 125 wafers.

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