Silicon Wafer

Dummy CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 650 ± 50 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 1000 Ohm cm, not particle-specified, units of 25 wafers in carriers

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSV80650500B1316XNN2
Resistivity: 1 - 1000 Ohm cm
Diameter: 8 inch (200 mm)
Wafer thickness tolerance: +/- 50 µm
Wafer thickness: 650 µm
Quality: Dummy
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Dummy CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 650 ± 50 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 1000 Ohm cm, not particle-specified, units of 25 wafers in carriers

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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