Silicon Wafer

Dummy CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 50 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 100 Ohm cm, not particle-specified, units of 25 wafers (carriers)

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSV4050050XB1015XNN1
Wafer thickness: 500 µm
Resistivity: 0,001 - 100 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 50 µm
Quality: Dummy
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Dummy CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 50 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Dummy CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 50 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 100 Ohm cm, not particle-specified, units of 25 wafers (carriers)

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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