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Silicon Wafer

Dummy CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 100 Ohm cm, not particle specified, tiny scratches possible, units of 100 wafers stacked in cakeboxes

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSV30380250B1015SNN2
Wafer thickness: 380 µm
Diameter: 3 inch
Resistivity: 0,001 - 100 Ohm cm
Quality: Dummy
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Dummy CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Dummy CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 100 Ohm cm, not particle specified, tiny scratches possible, units of 100 wafers stacked in cakeboxes

Min. order quantity and sales unit = 100 wafers.

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