Silicon Wafer

Dummy CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 25 µm, (111), 2-side polished, n-type (Phosphor), 5 - 100 Ohm cm, packed in units of 25 wafers in carriers, NO FLAT, tiny scratches possible, not particle-specified

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSU40500250P5315XNN1
Orientation: (111)
Surface: 2-side polished (dsp)
Wafer thickness: 500 µm
Quality: Dummy
Dopand: Phosphor
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Resistivity: 5 - 100 Ohm cm
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Dummy CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 500 ± 25 µm, (111), 2-side polished, n-type (Phosphor), 5 - 100 Ohm cm, packed in units of 25 wafers in carriers, NO FLAT, tiny scratches possible, not particle-specified

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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