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Silicon Wafer

Test CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 725 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 100 Ohm cm, Bow/Warp < 40 µm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSM80725250B1315SNN1
Dopand: Boron
Wafer thickness: 725 µm
Diameter: 8 inch (200 mm)
Resistivity: 1 - 100 Ohm cm
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Quality: Test
Material: CZ-Si
Test CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 725 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Test CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 725 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 100 Ohm cm, Bow/Warp < 40 µm

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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