Silicon Wafer
Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI flats
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSM4062525XB1314SNN1 |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Wafer thickness: | 625 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Quality: | Test |
| Material: | CZ-Si |
| Orientation: | (100) |
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