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Silicon Wafer

Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI flats

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSM4052525XB1314SNN1
Surface: 1-side polished (ssp)
Wafer thickness: 525 µm
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Quality: Test
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Beschreibung
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Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI flats

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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