Silicon Wafer

Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 20 µm, 1 - 20 Ohm cm, Laser-marking on polished side, 2.5 - 3.0 mm height: 206M-XXXX (XXXX = consecutive number 0001 - 9999)

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSM40525250B1324XNN1
Surface: 1-side polished (ssp)
Wafer thickness: 525 µm
Resistivity: 1 - 20 Ohm cm
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Quality: Test
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 20 µm, 1 - 20 Ohm cm, Laser-marking on polished side, 2.5 - 3.0 mm height: 206M-XXXX (XXXX = consecutive number 0001 - 9999)

Min. order quantity and sales unit = 25 wafers.

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