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Silicon Wafer

Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm; Laser-marking A0001-xxxMCCC (xxx 0 000 - 999, C = check code), top of characters towards edge, Font SEMI OCR, height 1.0 +/- 0.025 mm, width 0.5 +/- 0.025 mm, spacing 0.875 +/- 0.025 mm, dot matrix density (W x H) 5x9, distance to edge 1.1 +/- 0.3 mm, laser mark depth < 50 µm, on front side in the middle of the long flat

Silicon Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSM40525250B1324SNN5
Surface: 1-side polished (ssp)
Wafer thickness: 525 µm
Resistivity: 1 - 20 Ohm cm
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Quality: Test
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, Laser-marking A0001-xxxMCCC (xxx 0 000 - 999, C = check code), top of characters towards edge, Font SEMI OCR, height 1.0 +/- 0.025 mm, width 0.5 +/- 0.025 mm, spacing 0.875 +/- 0.025 mm, dot matrix density (W x H) 5x9, distance to edge 1.1 +/- 0.3 mm, laser mark depth < 50 µm, on front side in the middle of the long flat

Min. order quantity and sales unit = 200 wafers.

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