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Silicon Wafer

Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, Bow < 40 µm, 1 - 20 Ohm cm, SEMI Flat 32.5 mm. Laser-marking class 100 ´LAAS 2022 TESTXXXX´ (XXXX = consecutive number)

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSM40525250B1324SNN4
Surface: 1-side polished (ssp)
Wafer thickness: 525 µm
Resistivity: 1 - 20 Ohm cm
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Quality: Test
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, Bow < 40 µm, 1 - 20 Ohm cm, SEMI Flat 32.5 mm. Laser-marking class 100 'LAAS 2022 TESTXXXX' (XXXX = consecutive number)

Min. order quantity and sales unit = 1000 wafers.

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