Silicon Wafer
Test CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, Bow < 40 µm, 1 - 20 Ohm cm, SEMI Flat 32.5 mm. Laser-marking class 100 ´LAAS 2022 TESTXXXX´ (XXXX = consecutive number)
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSM40525250B1324SNN4 |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Resistivity: | 1 - 20 Ohm cm |
| Orientation: | (100) |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Quality: | Test |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Material: | CZ-Si |
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