Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 1500 ± 30 µm, (100), unpolished, p-type (Boron), 1 - 100 Ohm cm, no Flat

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSG31500300B1315XNN1
Resistivity: 1 - 100 Ohm cm
Surface: unpolished
Wafer thickness: 1500 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 30 µm
Diameter: 3 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 1500 ± 30 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 1500 ± 30 µm, (100), unpolished, p-type (Boron), 1 - 100 Ohm cm, no Flat

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