Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 625 ± 20 µm, (111), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSF60625200P1424SNN1
Quality: Prime
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Resistivity: 10 - 20 Ohm cm
Orientation: (111)
Dopand: Phosphor
Diameter: 6 inch (150 mm)
Wafer thickness: 625 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 625 ± 20 µm, (111), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm

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