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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (111), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

Silicon Wafer
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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSF40525250B1314SNN2
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness: 525 µm
Orientation: (111)
Quality: Prime
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (111),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (111), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

Min. order quantity and sales unit = 5 wafers.

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