Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 450 ± 25 µm, (111) +4° tilt, 1-side polished n-type (Antimon, Sb), TTV < 10 µm, 0.01 - 0.05 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSF40450250X1151SNN1
Quality: Prime
Resistivity: 0,01 - 0,05 Ohm cm
Wafer thickness: 450 µm
Orientation: (111)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 450 ± 25 µm, (111) +4° tilt, 1-side polished n-type (Antimon, Sb), TTV < 10 µm, 0.01 - 0.05 Ohm cm

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