Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (111), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSF30380250P1314SNN1
Quality: Prime
Wafer thickness: 380 µm
Orientation: (111)
Diameter: 3 inch
Dopand: Phosphor
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 380 ± 25 µm, (111), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 11 wafers is also available on stock.

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