Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 400 ± 25 µm, (111), 1-side polished, n-type Arsenic) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSF20400250A1050SNN1
Resistivity: 0,001 - 0,005 Ohm cm
Dopand: Arsenic
Wafer thickness: 400 µm
Orientation: (111)
Diameter: 2 inch
Quality: Prime
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 400 ± 25 µm, (111),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 2 inch, thickness = 400 ± 25 µm, (111), 1-side polished, n-type Arsenic) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm

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