Silicon Wafer
Prime CZ-Si-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (110), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI Flats (Primary Flat @ [111], S Flat @ [111] 109.5° CW from PF)
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Menge: | Stückpreis: |
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WSE40525250B1314SNN1 |
Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
Orientation: | (110) |
Wafer thickness: | 525 µm |
Quality: | Prime |
Dopand: | Boron |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
Material: | CZ-Si |
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