Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WSE40525250B1314SNN1
Resistivity:	1 - 10 Ohm cm
Orientation:	(110)
Wafer thickness:	525 µm
Quality:	Prime
Dopand:	Boron
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Surface:	1-side polished (ssp)
Diameter:	4 inch (100 mm)
Material:	CZ-Si

Prime CZ-Si-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (110),... mehr

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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (110), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI Flats (Primary Flat @ [111], S Flat @ [111] 109.5° CW from PF)

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 12 wafers is also available on stock.