Silicon Wafer

Prime CZ-Si-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (110), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI Flats (Primary Flat @ [111], S Flat @ [111] 109.5° CW from PF)

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSE40525250B1314SNN1
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Orientation: (110)
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (110),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (110), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI Flats (Primary Flat @ [111], S Flat @ [111] 109.5° CW from PF)

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