Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 725 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 5 - 30 Ohm cm, SEMI Notch

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD80725250B5334SNN1
Resistivity: 5 - 30 Ohm cm
Wafer thickness: 725 µm
Diameter: 8 inch (200 mm)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 8 inch, thickness = 725 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 5 - 30 Ohm cm, SEMI Notch

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