Silicon Wafer

Prime MCZ-Si wafer 8 inch, thickness = 725 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1000 - 10000 Ohm cm, SEMI Notch

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD80725250B1617XNN1
Resistivity: 1000 - 10000 Ohm cm
Wafer thickness: 725 µm
Diameter: 8 inch (200 mm)
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime MCZ-Si wafer 8 inch, thickness = 725 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1000 - 10000 Ohm cm, SEMI Notch

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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