Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100) +/- 1°, 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 15 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow < 50 µm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD60675255B1314SNN1
Dopand: Boron
Wafer thickness: 675 µm
Quality: Prime
Diameter: 6 inch (150 mm)
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100) +/- 1°, 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 15 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow < 50 µm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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