Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD60675250B1324SNN1
Dopand: Boron
Wafer thickness: 675 µm
Resistivity: 1 - 20 Ohm cm
Quality: Prime
Diameter: 6 inch (150 mm)
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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