Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, Flats: 1, [InvP]
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSD60675250B1324SNN1 |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness: | 675 µm |
| Resistivity: | 1 - 20 Ohm cm |
| Quality: | Prime |
| Diameter: | 6 inch (150 mm) |
| Orientation: | (100) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Material: | CZ-Si |
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