Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 100 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD60625250P1315XNN1
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 100 Ohm cm
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Diameter: 6 inch (150 mm)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Wafer thickness: 625 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 625 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 100 Ohm cm

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