Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 605 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 5 - 10 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD60605200B5314SNN1
Resistivity: 5 - 10 Ohm cm
Wafer thickness: 605 µm
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Quality: Prime
Diameter: 6 inch (150 mm)
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 605 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 5 - 10 Ohm cm

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