Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 508 ± 16 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic) 0 - 0.005 Ohm cm, SEMI 1-Flat [int. ID: SMLCA527], [InvS]

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD6050816XA0050SNN1
Quality: Prime
Resistivity: 0 - 0,005 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 16 µm
Wafer thickness: 508 µm
Dopand: Arsenic
Diameter: 6 inch (150 mm)
Orientation: (100)
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 508 ± 16 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 6 inch, thickness = 508 ± 16 µm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic) 0 - 0.005 Ohm cm, SEMI 1-Flat [int. ID: SMLCA527], [InvS]

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