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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 2000 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 20 Ohm cm, Flat: SEMI Standard, units of 20 wafers stacked

Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD42000250B1324SNN1
Dopand: Boron
Resistivity: 1 - 20 Ohm cm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Wafer thickness: 2000 µm
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 2000 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 2000 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 20 Ohm cm, Flat: SEMI Standard, units of 20 wafers stacked

Min. order quantity and sales unit = 20 wafers. One sales unit of 9 wafers is also available on stock.

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