Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 2000 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 20 Ohm cm, Flat: SEMI Standard, units of 25 wafers stacked
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WSD42000250B1324SNN1 |
Dopand: | Boron |
Resistivity: | 1 - 20 Ohm cm |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
Material: | CZ-Si |
Wafer thickness: | 2000 µm |
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