Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 µm, 0.01 - 0.1 Ohm cm
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ab 5 | 26,00 € * |
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WSD40525250P1112SNN1 |
Quality: | Prime |
Resistivity: | 0,01 - 0,1 Ohm cm |
Wafer thickness: | 525 µm |
Dopand: | Phosphor |
Orientation: | (100) |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
Material: | CZ-Si, Square CZ-Si |
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