Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 µm, 0.01 - 0.1 Ohm cm
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSD40525250P1112SNN1 |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Dopand: | Phosphor |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Material: | CZ-Si |
| Resistivity: | 0,01 - 0,1 Ohm cm |
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