Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm, 2 SEMI Flats

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD40525250B1424SNN1
Orientation: (100)
Resistivity: 10 - 20 Ohm cm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 10 - 20 Ohm cm, 2 SEMI Flats

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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