Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µmm Laser-marking: A0001-xxxMCCC (xxx = 000 - 999, C = check code), top of characters towards edge, Font SEMI OCR, height 1.0 +/- 0.025 mm, width 0.5 +/- 0.025 mm, spacing 0.875 +/- 0.025 mm, dot matrix density (W x H) 5x9, distance to edge 1.1 +/- 0.3 mm, laser mark depth < 50 µm, on front side in the middle of the long flat
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSD40525250B1314SNN5 |
| Dopand: | Boron |
| Wafer thickness: | 525 µm |
| Quality: | Prime |
| Orientation: | (100) |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Diameter: | 4 inch (100 mm) |
| Material: | CZ-Si |
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