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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 0.005 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD40525250B1050SNN1
Orientation: (100)
Resistivity: 0,001 - 0,005 Ohm cm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Dopand: Boron
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Beschreibung
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Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100),... mehr
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 0.001 - 0.005 Ohm cm

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