Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 10 - 20 Ohm cm, Flats: 2, [InvP]

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD40525155B1424SNN1
Resistivity: 10 - 20 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 15 µm
Wafer thickness: 525 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 10 - 20 Ohm cm, Flats: 2, [InvP]

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