Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 325 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm
Staffelpreise:
Menge: | Stückpreis: |
---|---|
bis 4 | 38,00 € * |
ab 5 | 27,20 € * |
ab 10 | 21,60 € * |
ab 25 | 16,00 € * |
ab 50 | 15,00 € * |
ab 100 | 14,50 € * |
ab 300 | 14,00 € * |
zzgl. MwSt. zzgl. Versandkosten
LAGERBESTAND: 84 2 Der Artikel kann auf Anfrage produziert werden. Bitte kontaktieren Sie uns.
PRODUZIERBAR2: mehr auf Anfrage.
Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WSD40325250B1314SNN1 |
Dopand: | Boron |
Wafer thickness: | 325 µm |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
Diameter: | 4 inch (100 mm) |
Material: | CZ-Si |
Zuletzt angesehen