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Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 325 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD40325250B1314SNN1
Dopand: Boron
Wafer thickness: 325 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Diameter: 4 inch (100 mm)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 325 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 325 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 10 wafers is also available on stock.

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