Silicon Wafer

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.:	WSD30640250P1314SNN1
Orientation:	(100)
Coating thickness:	1
Wafer thickness:	640 µm
Diameter:	3 inch
Dopand:	Phosphor
Quality:	Prime
Resistivity:	1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance:	+/- 25 µm
Surface:	1-side polished (ssp)
Material:	CZ-Si

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 640 ± 25 µm, (100),... mehr

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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 640 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 flats, surface roughness < 1 nm

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers. One sales unit of 14 wafers is also available on stock.