Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 640 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 flats, surface roughness < 1 nm
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Spezifikationen:
| Artikel-Nr.: | WSD30640250P1314SNN1 |
| Orientation: | (100) |
| Coating thickness: | 1 |
| Wafer thickness: | 640 µm |
| Diameter: | 3 inch |
| Dopand: | Phosphor |
| Quality: | Prime |
| Resistivity: | 1 - 10 Ohm cm |
| Wafer thickness tolerance: | +/- 25 µm |
| Surface: | 1-side polished (ssp) |
| Material: | CZ-Si |
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