Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 640 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 flats, surface roughness < 1 nm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD30640250P1314SNN1
Orientation: (100)
Coating thickness: 1
Wafer thickness: 640 µm
Diameter: 3 inch
Dopand: Phosphor
Quality: Prime
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Wafer thickness tolerance: +/- 25 µm
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 640 ± 25 µm, (100),... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 640 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 flats, surface roughness < 1 nm

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