Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch (76,2 mm +/- 0.3 mm), thickness = 450 ± 10 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm, Ra< 1 nm, 1 Flat [mm] 22 ± 1 mm, Edge Rounding 0.25 mmR

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD30450100B1324SNN1
Coating thickness: 1
Wafer thickness: 450 µm
Resistivity: 1 - 20 Ohm cm
Diameter: 3 inch
Wafer thickness tolerance: +/- 10 µm
Quality: Prime
Orientation: (100)
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
Prime CZ-Si wafer 3 inch (76,2 mm +/- 0.3 mm), thickness = 450... mehr

Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch (76,2 mm +/- 0.3 mm), thickness = 450 ± 10 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm, Ra< 1 nm, 1 Flat [mm] 22 ± 1 mm, Edge Rounding 0.25 mmR

Min. order quantity = 1 wafer. From 25 wafers on, only sales units of 25 wafers.

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