Silicon Wafer
Prime CZ-Si wafer 3 inch (76,2 mm +/- 0.3 mm), thickness = 450 ± 10 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 20 Ohm cm, Bow/Warp < 30 µm, Ra< 1 nm, 1 Flat [mm] 22 ± 1 mm, Edge Rounding 0.25 mmR
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Spezifikationen:
Artikel-Nr.: | WSD30450100B1324SNN1 |
Coating thickness: | 1 |
Wafer thickness: | 450 µm |
Resistivity: | 1 - 20 Ohm cm |
Diameter: | 3 inch |
Wafer thickness tolerance: | +/- 10 µm |
Quality: | Prime |
Orientation: | (100) |
Dopand: | Boron |
Surface: | 1-side polished (ssp) |
Material: | CZ-Si |
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