Silicon Wafer

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 381 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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Spezifikationen:

Artikel-Nr.: WSD30381200B1314SNN1
Wafer thickness tolerance: +/- 20 µm
Wafer thickness: 381 µm
Diameter: 3 inch
Quality: Prime
Orientation: (100)
Resistivity: 1 - 10 Ohm cm
Dopand: Boron
Surface: 1-side polished (ssp)
Material: CZ-Si
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Produktinformationen "Silicon Wafer"

Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 381 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm

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